SOI压力传感器阳极键合残余应力研究

作者：李玉玲; 王明伟; **超; 吴佐飞

来源：传感器与微系统, 2018, 37(11): 18-20.

DOI：10.13873/j.1000-9787(2018)11-0018-03

• 绝缘体上硅压力传感器
• 阳极键合
• 残余应力
• 应力匹配

绝缘体上硅(SOI)压力传感器通常采用阳极键合实现圆片级气密封装,硅片和硼硅玻璃片通过阳极键合技术在360℃左右形成可靠的结合。硅片和硼硅玻璃片的热膨胀系数不能完全匹配,降温后的硅—玻璃圆片必然会存在残余应力。残余应力直接影响传感器性能、稳定性和可靠性。建立了残余应力计算模型,分析了残余应力与硼硅玻璃片厚度的关系;完成了键合试验,通过测量圆片曲率半径得到了弯曲应力的量值,验证了通过调整玻璃片厚度实现应力匹配的方法。样品测试结果表明:通过应力匹配减小了工艺残余应力,有效提高了压力传感器的长期稳定性。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十九研究所