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摘要
本发明涉及一种异质结阻变存储器及其制备方法,该方法包括：制备半绝缘衬底；在半绝缘衬底表面依次连续生长粘附层、底电极和Ga2O3薄膜；利用旋涂工艺在Ga2O3薄膜表面生长CH3NH3PbI3薄膜；在CH3NH3PbI3薄膜表面生长点状顶电极,最终形成异质结阻变存储器。本发明由于阻变层采用异质结,易于调制,电阻的记忆与弛豫过程受耗尽层宽度、内建电场强度等因素的调节,增加了忆阻性能调控的灵活性；对材料的选择性较弱,忆阻行为性能稳定,有助于忆阻器件的半定量化研究,为器件设计及进一步发展奠定了基础。
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