HVPE反应器的环形分隔进口数对生长均匀性的影响

作者：赖晓慧; 左然; 师珺草; 刘鹏; 童玉珍; 张国义

来源：发光学报, 2013, (06): 797-802.

• HVPE
• GaN
• 环形进口
• 反应器设计
• 数值模拟 HVPE
• GaN
• annular inlet
• reactor design
• simulation

利用FLUENT软件对3种环形分隔进口(4环、8环、12环)的氢化物气相外延(HVPE)反应器的生长均匀性进行了二维数值模拟研究。分别考虑输运模型和输运-生长模型,模拟过程保持相同的GaCl、NH3及N2气体进口流量。结果显示:在只考虑输运的模型中,反应室流动均匀性随着进口环数的增多而改善。8环进口时,衬底上方温度分布最均匀;4环进口时,衬底上方的GaCl浓度较高,但均匀性最差,Ⅴ/Ⅲ比也较低;8环及12环进口可得到均匀的GaCl浓度分布及较高的Ⅴ/Ⅲ比。在包括输运和GaN生长的模型中,尽管8环进口反应器衬底上方的GaCl浓度低于12环进口反应器,却因其较薄的边界层厚度而导致较高的生长速率,并...

• 单位
  江苏大学