刻蚀剂对V2CTx电化学性能的影响

作者:刘毅; 李涛; 罗威; 王闯业; 郭守武
来源:陕西科技大学学报, 2020, 38(06): 99-104.
DOI:10.19481/j.cnki.issn2096-398x.2020.06.017

摘要

MXene材料由于其独特的二维结构在储能领域受到了广泛的关注.通过对V2AlC陶瓷粉体中Al层原子的选择性刻蚀可以制备出V2CTx二维纳米材料,其作为锂离子电池负极材料具有高的理论比容量,然而其刻蚀过程较为困难,且刻蚀产物表面的官能团显著影响其电化学性能.本论文采用HF以及HCl/NaF这两种刻蚀剂制备出了V2CTx二维材料,利用XRD、SEM、EDS和电化学工作站研究了其晶相、形貌结构和电化学性能.结果表明,采用HF做刻蚀剂得到的V2CTx在大电流密度下具有较好的循环性能,在0.1 A g-1的电流密度下循环100次,放电比容量分别为248 mAh g-1;在1A g-1的电流密度下循环1 000次,可逆比容量分别为94 mAh g-1.