一种混合栅控结构的碳化硅晶闸管及其制备方法

作者：元磊; 侯伟群; 汤晓燕; 张艺蒙; 宋庆文; 张玉明

来源：2021-11-08, 中国, CN202111315935.5.

本发明公开了一种混合栅控结构的碳化硅晶闸管及其制备方法,包括N型4H-SiC衬底；依次设置于衬底上表面的N型4H-SiC缓冲层、P型4H-SiC漂移层和N型4H-SiC门极区；阳极区设置于V型凹槽两侧的门极区上；SiO-2栅氧化层、第一Al接触层依次设置于V型凹槽内；第一SiO-2钝化层设置于门极区两端；N型4H-SiC JFET关断栅沟道区设置于门极区上；JFET栅电极设置于第一SiO-2钝化层上；N型4H-SiC短路区设置于JFET关断栅沟道区上,且嵌入阳极区；第一欧姆接触层设置于短路区、阳极区上；第二SiO-2钝化层设置于第一SiO-2钝化层、短路区、阳极区上,以及SiO-2栅氧化层、第一Al接触层的两端上；第二欧姆接触层设置于衬底下表面；第二Al接触层设置于第二欧姆接触层下表面。本发明提高了器件的工作频率。

• 单位
  西安电子科技大学