基于QD-SOA光判决门的研究

作者：杨文华; 王海龙; 王兆翔; 韦志禄; 龚谦

来源：通信技术, 2016, 49(09): 1122-1128.

• 量子点半导体光放大器(QD-SOA)
• 光开关
• 光判决门
• 马赫-曾德尔干涉仪
• 对比度(CR)

为了改善全光3R再生-光判决门的性能,利用三能级量子点半导体光放大器(Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier,QD-SOA)模型研究了QD-SOA有源区载流子恢复特性,并基于马赫-曾德尔干涉仪效应(MZI)的光判决门结构,仿真分析了注入电流、泵浦光功率和光场限制因子等对开关对比度的影响。结合QD-SOA的载流子恢复特性,在有源区注入补充电流,提高电子占有率,补充载流子消耗,为提高光判决门开关工作速度提供了有利条件。基于MZI效应光判决门分析了对比度(CR)对开关性能的影响,模拟仿真结果显示:在特定光场限制因子范围内,适当增加注入电流,可以提高开关对比度,优化光判决门开关窗口特性,从而得到更加理想的全光开关设计参数,对超高速信息处理、全光网络光判决技术等未来光网络发展具有重要的指导意义。

• 单位
  曲阜师范大学; 信息功能材料国家重点实验室; 中科院上海微系统与信息技术研究所