摘要
为了解决功率放大器调试工作复杂的问题以及提高其效率,选用型号为CGH40010F的GaN HEMT晶体管,设计了一款E类功率放大器,利用电容和微带线进行匹配,并在漏极偏置加入一个T型L-C电路消除输出电容对最大工作频率的限制。提高了其灵活性的同时,也提升了它在高频时的效率。在ADS软件中进行设计并仿真,根据市场需求最终选定频率为2.1 GHz,所得到的最大效率为73.5%,输出功率值为40 dBm。经过实测,最大效率为70.8%,在此情况下获得的输出功率值为39.5 dBm。并与近几年的E类功放性能进行比较,很明显在保证了高频率的前提下拥有更先进的性能,说明了实验的方法是可行的,此外,设计的E类功率放大器有着更加灵活的优势。
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