基于MIS电容器的Al2O3与In0.74Al0.26As的界面特性

作者：万露红; 邵秀梅; 李雪; 顾溢; 马英杰; 李淘

来源：红外与毫米波学报, 2022, (2): 384-388.

DOI：10.11972/j.issn.1001-9014.2022.02.002

• InAlAs
• 原子层沉积
• Al2O3
• SiNx
• 金属-绝缘体-半导体电容器
• 界面态密度

采用In0.74Al0.26As/In0.74Ga0.26As/InxAl1-xAs异质结构多层半导体作为半导体层,制备了金属-绝缘体-半导体(MIS)电容器.其中,SiNx和SiNx/Al2O3分别作为MIS电容器的绝缘层.高分辨率透射电子显微镜和X射线光电子能谱的测试结果表明,与通过电感耦合等离子体化学气相沉积生长的SiNx相比,通过原子层沉积生长的Al2O3可以有效地抑制Al2O3和In0.74Al0.26As界面的In2O3的含量.根据MIS电容器的电容-电压测量结果,计算得到SiNx/Al2O3/In0.74Al0.26As的快界面态密度比SiNx/In0.74Al0.26As的快界面态密度低一个数量级.因此,采用原子层沉积生长的Al2O3作为钝化膜可以有效地降低Al2O3和In0.74Al0.26As之间的快界面态密度,从而降低In0.74Ga0.26As探测器的暗电流.

• 单位
  中国科学院大学; 中国科学院上海技术物理研究所