离子注入结深的参数影响分析

作者：董海青; 张照锋

来源：中国新技术新产品, 2020, (12): 30-31.

DOI：10.13612/j.cnki.cntp.2020.12.013

• 工艺
• 器件
• 仿真

该文主要是通过TCAD工具分析工艺对集成电路工艺结果的影响,通过TCAD工具模拟集成电路离子注入工艺的过程,然后分别改变离子注入的工艺参数,分析离子注入工艺参数对结深结果的影响,进而在器件设计过程中合理地进行工艺优化。

• 单位
  南京信息职业技术学院