300 GHz InP DHBT单片集成放大器

作者：孙岩; 程伟; 陆海燕; 王元; 常龙; 孔月婵; 陈堂胜

来源：固体电子学研究与进展, 2017, (04): 299.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2017.04.016

<正>太赫兹技术在成像雷达以及宽带通信等领域具有广阔应用前景。太赫兹功率放大器是太赫兹系统的核心单元。磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹功率放大器的研制,例如美国Teledyne公司利用InP DHBT工艺研制了220 GHz200 mW的功率MMIC。南京电子器件研究所基于76.2 mm(3英寸)InP DHBT圆片工艺,研制出300 GHz单片集成放大器。图