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摘要
为了实现半导体行业内关键尺寸测量仪器的校准问题，展开了纳米尺寸线宽标准样片的研究工作。采用多层膜沉积技术研制了尺寸为20 nm和50 nm的纳米级线宽标准样片。针对标准样板整体尺寸小、仪器测量视场小所引起的校准时不便寻找的问题，以及由于样板线边缘质量问题导致每次测量不同位置结果相差太大的困扰，设计了定位循迹标志。共设计9组标志，每组标志9个标记格，每个标记格的宽度尺寸为0.5μm,标记格的间隔为2.5μm,每组标志之间的距离为100μm。采用半导体工艺进行加工，可以快速准确地寻找到标准的测量位置，保证了每次测量结果的重复性，有效提高了测量速度及准确性。
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