沉积温度对甲基硅烷化学气相沉积SiC涂层显微组织和烧蚀性能的影响（英文）

作者：胡祥龙; 罗骁; 杨鑫; 谭瑞轩; 黄启忠^*

来源：Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2023, 33(12): 3797-3811.

• 甲基硅烷
• 化学气相沉积
• SiC涂层
• 沉积温度
• 显微组织
• 烧蚀性能

以甲基硅烷(MS)为气源，采用化学气相沉积方法于不同温度下在石墨表面制备SiC涂层，并系统研究温度对SiC涂层的沉积速率、显微组织和抗烧蚀性能的影响规律。实验结果表明：当沉积温度为1000℃时，以MS为气源的SiC涂层的沉积速率为50～120μm/h，远高于以甲基三氯硅烷为气源的沉积速率(5～10μm/h)。当沉积温度较低(900～1000℃)时，以MS为气源所制备的SiC涂层整体光滑、平整，呈球形紧密堆积形貌；沉积温度较高(1100～1200℃)时，SiC涂层呈不规则菜花状颗粒堆积形貌，且微晶尺寸明显增大；当沉积温度为1000℃时，SiC涂层具有合适的致密性、粗糙度以及尺寸均匀的显微组织，同时，该涂层经2300℃等离子烧蚀80 s后，其质量烧蚀率和线性烧蚀率分别为0.0096 mg/s和0.3750μm/s，显示优异的抗烧蚀性能。本研究为以MS为气源的化学气相沉积法制备SiC涂层提供一定的理论基础和技术支撑。

• 单位
  湖南大学; 中南大学