气溶胶辅助CVD法制备F掺杂SnO2薄膜及其性能

作者：王轩; 梁波; 邸庆银; 赵洪力; 杨静凯^*

来源：硅酸盐学报, 2019, 47(02): 243-249.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2019.02.13

• 气溶胶辅助化学气相沉积法
• 氟掺杂二氧化锡薄膜
• 氟掺杂量
• 电学性能
• 光致发光

采用气溶胶辅助化学气相沉积法(AACVD)在玻璃衬底上沉积F掺杂SnO2(FTO)薄膜,研究了前驱液中不同F/Sn摩尔比制备的FTO薄膜的结构、表面形貌、光学、电学及光致发光性能。结果表明:所制备FTO薄膜均为(200)面择优取向的多晶四方金红石相结构;前驱液中F/Sn摩尔比的增加,会导致(110)面的衍射峰强度增加,薄膜表面堆积颗粒形状发生变化,薄膜样品光学透过率提升;当F/Sn摩尔比=40%时,FTO薄膜具有最大的载流子浓度1.031×1021 cm–3以及最小的电阻率3.42×10–4?·cm,这可归结为适量F的存在产生不同的缺陷影响。(200)面择优取向FTO薄膜光致发光谱可用于表征不同缺陷形式的跃迁。

• 单位
  亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室; 燕山大学