LTCC片式耦合器的仿真设计研究

作者：王升

来源：磁性材料及器件, 2012, (05): 28-30+39.

• 片式耦合器
• 低温共烧陶瓷
• 仿真
• 性能 chip coupler
• LTCC
• simulation
• performance

给出了一种基于LTCC技术的多层片式定向耦合器的设计方法。该设计采用宽边耦合的传输线实现耦合,并且在基体材料内没有地层,因而可以得到紧凑的结构。给出了通过电磁仿真软件HFSS仿真及设计DCS/PCS频段LTCC耦合器的详细实例。仿真结果表明,该器件频率使用范围为1810±100MHz,插入损耗不超过0.21dB,耦合度为16.5±1.0dB,电压驻波比不超过1.08,输出相位为90±2°,外型尺寸仅为1.0×0.5×0.35mm3;能够满足DCS/PCS频段手机的应用要求。

• 单位
  中国电子科技集团公司第九研究所