二氧化钒薄膜低温制备及其太赫兹调制特性研究

作者：孙丹丹; 陈智; 文岐业; 邱东鸿; 赖伟恩; 董凯; 赵碧辉; 张怀武

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (01): 401-406.

• 二氧化钒薄膜
• 太赫兹波
• 绝缘体-金属相变
• 调制 vanadium dioxide film
• terahertz
• phase transition
• modulation

针对二氧化钒(VO2)薄膜在可调谐太赫兹功能器件中的应用,利用低温磁控溅射技术,在太赫兹和光学频段透明的BK7玻璃上制备出高质量的VO2薄膜.晶体结构和微观形貌分析显示薄膜为单相VO2单斜金红石结构,具有明显的(011)晶面择优取向,结构致密,表面平整.利用四探针技术和太赫兹时域光谱系统分析了薄膜的绝缘体-金属相变特性,发现相变过程中薄膜电阻率变化达到4个数量级,同时对太赫兹透射强度具有强烈的调制作用,调制深度高达89%.通过电学相变和太赫兹光学相变特性的对比研究,证实薄膜的电阻率突变主要与逾渗通路的形成有关,而太赫兹幅度的调制则来源于薄膜中载流子浓度的变化.该薄膜制备简单,成膜质量高,太赫兹...

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室