AlN陶瓷的空心阴极等离子烧结工艺研究

作者：王从曾; 苏学宽; 高帆; 段成军; 张连宝; 马捷

来源：粉末冶金技术, 2005, (04): 279-283.

DOI：10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2005.04.008

• 空心阴极
• 等离子
• 烧结
• 氮化铝(AIN) hollow cathode
• plasma
• sintering
• aluminium nitride(AIN)

将空心阴极效应运用于AIN陶瓷的烧结,选用自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,用Y2O3-Li2O-CaO(YLC)作为烧结助剂,进行了烧结试验,并探讨了工艺参数的影响。结果表明,空心阴极烧结工艺可制备出致密度高,导热性能好的AIN陶瓷。添加质量分数为5.5%的YLC烧结助剂,在1 700℃、保温3h的烧结条件下,获得相对密度为98.9%、热导率为93.8W/(m.K)的AIN烧结体。烧结体断口的SEM照片显示,烧结试样的晶粒生长发育完善,晶粒轮廓清晰,呈尖锐的多面体形状,晶粒大小均匀,孔隙和晶界相少,断裂模式主要为穿晶解理断裂。TEM观测表明,晶界相少,且大部分都缩至三角晶界,AIN晶粒与晶粒...

• 单位
  高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室; 北京工业大学; 中国科学院上海硅酸盐研究所; 材料科学与工程学院