3300 V全SiC MOSFET功率器件开关特性研究

作者：孙康康; 陈燕平; 忻兰苑; 王晓年; 余开庆; 胡长风

来源：机车电传动, 2020, (01): 34-48.

DOI：10.13890/j.issn.1000-128x.2020.01.007

• 3 300 V全SiC MOSFET
• 开关特性
• 驱动电阻
• 结温
• 杂散电感

为更好地发挥全SiC器件的开关速度快、损耗低等优势,研究了某款3 300 V全SiC MOSFET器件的开关特性。首先,通过理论分析阐述了开关变化过程,并给出了可量化的计算方法;其次,从驱动电阻、结温、回路杂散电感等方面探寻了开关特性变化的规律;最后,在样机上进行了验证。结果表明,文章中所述优化开关特性的方法对全SiC逆变器的工程应用有一定的指导意义。