低能Ar+刻蚀时间对抛光单晶LiNbO3薄膜忆阻器的影响

作者：梁翔; 帅垚^*; 潘忻强; **珺; 吴传贵

来源：电子元件与材料, 2020, 39(05): 60-66.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.05.009

• 忆阻器
• LiNbO3薄膜
• 阻变
• 低能离子辐照

调节低能Ar+刻蚀对单晶LiNbO3(LN)的刻蚀时间,制备了不同LN厚度的单晶薄膜忆阻器。利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和电子顺磁共振(EPR)对器件的微观形貌与表面氧空位进行了表征。通过电流-电压曲线(IV曲线)、数据保持特性(Retention)和抗疲劳特性(Endurance)的测试,探究了刻蚀时长对器件电学行为的影响。结果表明,随刻蚀时间增加,器件表面光滑均匀,氧空位浓度增加,电形成电压显著降低。同时,尽管LN薄膜厚度减小后,器件的开关比(On/Off)略有降低,但其具有更好的数据保持特性。该方法适用于对由离子注入剥离法制备的单晶薄膜进行改性,以调控其阻变特性,使之可在高密度存储、神经形态计算等领域得到应用。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学