多晶硅电阻线性度补偿方法研究

作者：杨洋; 雷郎成; 高炜祺; 胡永菲; 刘虹宏; 付东兵

来源：微电子学, 2022, 52(01): 33-37.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.210266

• 多晶硅电阻
• 非线性补偿
• 自热效应
• D/A转换器

介绍了多晶硅电阻非线性度对信号链整体电路性能的影响，分析了多晶硅电阻非线性产生的原因。提出了衬底电位补偿和组合多晶补偿两种非线性补偿设计方法。采用仿真和测试，对比了未经补偿、新补偿方法的12位D/A转换器的性能。结果表明，经过多晶硅电阻补偿和非线性补偿后的D/A转换器达到了更优的线性度。