本文介绍了一种改进的提取RFMOSFET小信号等效电路模型中的栅、源、漏极寄生电阻的方法,并根据这种方法提取了模型的寄生参数和本征参数。频率高达40GHz的测量和仿真所得S参数对比结果验证了模型的良好精度。RF MOSFET采用中芯国际0.13μm RF CMOS工艺制作。
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