Pb(Hf0.3Ti0.7)O3铁电薄膜的制备与性能研究

作者：林亚丽; 朱俊; 吴智鹏; 刘兴鹏; 吴诗捷; 李俊峰

来源：功能材料, 2014, 45(24): 24091-24094.

• Pb(Hf0.3Ti0.7)O3
• 铁电薄膜
• 脉冲激光沉积
• 微观结构
• 电学性能

采用脉冲激光沉积方法在不同温度下生长Pb(Hf0.3Ti0.7)O3(PHT)铁电薄膜,利用各种表征手段测试并分析薄膜的微观结构和电性能。研究表明,生长温度为400℃沉积的PHT薄膜具有良好的(111)择优取向;PHT薄膜矫顽场(2Ec)为390 kV/cm,剩余极化强度(2Pr)为53.1μC/cm2,经1.5×109次翻转后剩余极化强度保持85%;PHT薄膜绝缘性能良好,相对介电常数约为540。PHT薄膜有望应用于铁电随机存储器。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室