摘要
本发明提出了一种基于倒置两步法的CsPbBr-3太阳电池制备方法,实现步骤为:在透明导电衬底上沉积电子传输层和CsBr;生成CsPbBr-3吸光层;生成空穴传输层;生成氧化钼缓冲层;获取制备结果。本发明首先在透明导电衬底上沉积n型半导体氧化物作为电子传输层,并在形成的电子传输层上沉积CsBr薄膜,然后在CsBr薄膜上沉积PbBr-2薄膜,经过退火结晶,形成CsPbBr-3钙钛矿层,这种倒置两步法由于CsBr层的密度与CsPbBr-3层的密度相近,在沉积的过程中所形成的两个薄膜体积变化较小,能够降低晶格畸变并使CsBr和PbBr-2反应更充分,能够降低载流子的复合,进而有效提高了CsPbBr-3太阳电池的光电转换效率。
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