掺铈宽禁带ZnO薄膜的光学特性研究

作者：薛红

来源：渭南师范学院学报, 2020, 35(11): 82-86.

DOI：10.15924/j.cnki.1009-5128.2020.11.013

• 宽禁带半导体
• 掺杂
• 吸收光谱
• 发光光谱

采用射频磁控溅射镀膜技术制备样品,利用XRD和PL光谱技术对Ce掺杂ZnO材料的光学特性进行研究,分析稀土元素掺杂对ZnO晶体能带结构的影响。发现Ce掺杂使ZnO的晶格结构发生变化,随着掺杂量的增加,ZnO的发光强度增大;溅射源O2的流量也会影响Ce掺杂ZnO对光的吸收和发光强度。

• 单位
  渭南师范学院