少数载流子寿命(以下简称少子寿命)是衡量晶硅半导体性能的重要参数。在实际生产中少子寿命受到多种因素的影响,如硅片厚度、杂质含量、晶粒均匀性、内部缺陷等。检测少子寿命主要的方法有三大类,根据载流子在半导体中产生的不同途径而有瞬态法、稳态法和准稳态法;根据光电压进行的检测;以及光束诱导电流法、电子束诱导电流法等其它方法,并指出这些方法的优缺点。
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