一种生长在Si衬底上的(In)GaN纳米管及其制备方法与应用

作者：李国强; 徐珍珠; **光; 高芳亮; 温雷; 余粤锋

来源：2018-09-29, 中国, ZL201811150323.3.

本发明公开了一种生长在Si衬底上的(In)GaN纳米管及其制备方法与应用,包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层,生长在AlN缓冲层上的(In)GaN纳米管。本发明采用的Si衬底易获得、面积大、成本低、有利于降低器件成本；本发明在Si衬底上生长(In)GaN纳米管的方法,具有生长工艺简单,制备成本低的优点,而且本发明制备的(In)GaN纳米管晶体质量好,禁带宽度可调,比表面积大,可实现可见光光谱响应,适用于光电解水产氢。

• 单位
  华南理工大学