应变对纤锌矿结构GaN电子结构及光学性质的影响

作者:温淑敏; 姚世伟; 赵春旺; 王细军; 李继军
来源:计算物理, 2020, 37(01): 119-126.
DOI:10.19596/j.cnki.1001-246x.7972

摘要

使用第一性原理密度泛函理论(DFT)框架下的广义梯度近似(GGA+U)方法计算单轴应变对纤锌矿结构GaN的键长、差分电荷密度、电子结构以及光学性质的影响.结果表明:带隙随应变的增加而减小,压应变在(-1%~-3%)范围内变化时带隙变化不明显,压应变超过3%时带隙随应变的增大显著减小.光学性质研究表明,应变对介电函数虚部峰的位置和大小都产生影响,静态介电常数随应变的增大而增大;应变使GaN的吸收系数减小.

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