应变对纤锌矿结构GaN电子结构及光学性质的影响

作者：温淑敏; 姚世伟; 赵春旺; 王细军; 李继军

来源：计算物理, 2020, 37(01): 119-126.

DOI：10.19596/j.cnki.1001-246x.7972

• 氮化镓
• 应变
• 电子结构
• 光学性质
• 第一性原理

使用第一性原理密度泛函理论(DFT)框架下的广义梯度近似(GGA+U)方法计算单轴应变对纤锌矿结构GaN的键长、差分电荷密度、电子结构以及光学性质的影响.结果表明:带隙随应变的增加而减小,压应变在(-1%～-3%)范围内变化时带隙变化不明显,压应变超过3%时带隙随应变的增大显著减小.光学性质研究表明,应变对介电函数虚部峰的位置和大小都产生影响,静态介电常数随应变的增大而增大;应变使GaN的吸收系数减小.

• 单位
  内蒙古工业大学; 上海海事大学