氮化镓单晶生长研究进展

作者：任国强; 王建峰; 刘宗亮; 蔡德敏; 苏旭军; 徐科^*

来源：人工晶体学报, 2019, 48(09): 1588-1598.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.09.004

• 氮化镓单晶
• 氢化物气相外延
• 氨热法
• 助熔剂法

氮化镓(Ga N)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料。受制于氮化镓单晶衬底的尺寸、产能及成本的影响,当前的Ga N基器件主要基于异质衬底(硅、碳化硅、蓝宝石等)制作而成,Ga N单晶衬底的缺乏已成为制约Ga N器件发展的瓶颈。近年来,国内外在Ga N单晶衬底制备方面取得了较大的进展。本文综述了氮化镓单晶生长的最新进展,包括氢化物气相外延法、氨热法和钠助熔剂法的研究进展,分析了各生长方法面临的挑战与机遇,并对氮化镓单晶材料的发展趋势进行了展望。

• 单位
  苏州纳维科技有限公司; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所