提出了一种无电压回跳的逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)结构，在集电极侧场截止层下方加入了一个N型层作为高阻层且把N+集电区部分替换为P型薄层，通过加入的N型高阻层增加集电极电阻，同时用P型薄层保证在初始导通时集电区的空穴能够在第一时间注入，消除了电压回跳现象，并且使器件的反向恢复电流峰值降低了15 A/cm3，同时改善了器件的关断特性，关断时间减小了103 ns。相较于传统FS RC-IGBT，反向恢复峰值电流降低了33.3%，关断时间减小了9.93%。
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