InGaAs线列探测器的I-V特性研究

作者：唐恒敬; 吴小利; 张可锋; 汪洋; 贺香荣; 李雪; 龚海梅

来源：红外与激光工程, 2008, (04): 598-601.

• InGaAs探测器
• I-V曲线
• 串联电阻
• 理想因子
• 响应率
• 噪声 InGaAs detector
• I-V curve
• Series resistance
• Ideality factor
• Responsivity
• Noise

采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。通过拟合I-V曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,并分析了它们对器件响应率和噪声的影响。结果表明:InGaAs吸收层外延质量与器件的理想因子相关联,影响器件的噪声,但对器件的响应率影响不大。计算了无光照和有光照情况下串联电阻Rs取不同值时器件的I-V曲线,得到串联电阻较小时其作用可忽略,但串联电阻会表观上增大零偏电阻,且串联电阻越大,损失的光电流越多。实验结果证明该方法对改进器件性能有一定的参考意义。

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 传感技术国家重点实验室