一种用于MEMS器件隔振的双层隔振结构及制备方法

作者：许高斌; 杨海洋; 马渊明; 陈兴; 徐枝蕃

来源：2019-12-31, 中国, ZL201810311807.5.

本发明提供一种用于MEMS器件隔振的双层隔振结构及制备方法,该双层隔振结构自上而下依次包括：第一层隔振系统、第二层隔振系统、硅衬底；MEMS器件焊接于第一层隔振系统的上方；其中,第一层隔振系统包括连接框架、隔振平台以及若干隔振梁；第二层隔振系统包括若干隔振组件,每个隔振组件由依次连接的下焊盘、扭转梁与上焊盘构成。该双层隔振结构的制备方法包括：备片、第一次光刻、硅玻键合、第二次光刻、第三次光刻、金属溅射、通孔引线、第四次光刻、制作衬底绝缘层与金属层、瞬时液相扩散连接十个步骤。本发明通过设置双层隔振系统,弥补了被动补隔振中在高频振动时隔振性能不足的问题；该隔振结构简单无需附加电源,大大降低了器件的功耗。

• 单位
  合肥工业大学