标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现(英文)

作者：李强; 王俊宇; 韩益锋; 闵昊

来源：半导体学报, 2005, (02): 238-242.

• CMOS
• 肖特基二极管
• 集成

提出了一种在标准CMOS工艺上集成肖特基二极管的方法 ,并通过MPW在charted 0 35 μm工艺中实现 .为了减小串连电阻 ,肖特基的版图采用了交织方法 .对所设计的肖特基二极管进行了实测得到I V ,C V和S参数 ,并计算得出所测试肖特基二极管的饱和电流、势垒电压及反向击穿电压 .最后给出了可用于SPICE仿真的模型 .

• 单位
  复旦大学; 专用集成电路与系统国家重点实验室