ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为

作者：王洋; 焦雷; 赵飞文; 李惠; 郑秀; 曹鸿涛; 梁凌燕; 张洪亮; 高俊华; 诸葛飞^*

来源：材料科学与工程学报, 2018, 36(05): 726-857.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2018.05.007

• 忆阻器
• 自整流
• 神经突触器件
• ZnO

Ti/ZnO/AZO/Pt忆阻器件表现出无Forming及自整流的非易失双极性忆阻特性。I-V曲线的拟合以及变温测试结果表明,忆阻行为属于纯电子效应,器件的导电行为来源于空间电荷限制电流或肖特基发射机理。在此基础上模拟了生物神经突触的长程可塑性以及学习-遗忘-再学习经验式行为。

• 单位
  江苏科技大学; 江苏大学; 中国科学院宁波材料技术与工程研究所