采用快速升温烧结方法生长Tl-1223超导薄膜的研究

作者：谢清连; 苏玲玲; 蒋艳玲; 唐平英; 刘丽芹; 岳宏卫; 陈名贤; 黄国华

来源：Acta Physica Sinica, 2018, 67(13): 362-368.

• Tl-1223超导薄膜
• 铝酸镧基片
• 快速升温烧结方法

报道了在铝酸镧(00l)衬底上生长Tl-1223超导薄膜的快速升温烧结方法以及铊(Tl)源陪烧靶的配比对Tl-1223薄膜晶体结构的影响.扫描电子显微镜观测表明,采用快速升温烧结方法生长的Tl-1223超导薄膜具有致密的晶体结构.X-射线衍射等测试表明,采用合适配比的陪烧靶在氩气环境下可以制备出纯c轴取向的Tl-1223超导薄膜,充氧退火后的薄膜具有较好的电学性能,其临界转变温度Tc onset达到116K,临界电流密度达到1.5MA/cm2(77 K,0 T).实验结果表明,采用这一新的烧结方法制备Tl系超导薄膜具有升降温时间和恒温时间短、生产成本低等特点.

• 单位
  桂林电子科技大学; 电子工程学院; 南宁师范大学