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摘要
与传统Si材料相比,SiC材料有着更高的场强,热导率和能隙。因而Si CMOSFET更适用于高压高频的工作场合,以提高系统效率。然而随着开关速度的提高,栅极串扰问题变得更为严重。文中根据SiC MOSFET的开关特性,提出一种具有电平移位功能的高速负压驱动器。考虑到负压驱动对串扰的抑制能力有限,在此基础上加入无需主动控制的米勒钳位回路实现了对串扰的有效抑制,并克服了传统的米勒钳位方式增加驱动控制复杂度的问题。双脉冲测试和串扰测试结果表明,该驱动电路在保持高速开关的同时串扰电压得到了有效的抑制。
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