碳化硅功率器件及应用

作者：张二东; 乔旭; 冯小元

来源：科技风, 2015, (20): 111.

DOI：10.19392/j.cnki.1671-7341.2015.20.094

• Si C
• 功率器件

碳化硅(Si C)作为第三代半导体材料的典型代表,具有宽带隙、高饱和飘逸速度、高临界击穿电场等优点,在高温、高频、大功率应用方面有很大的优势。本文简要介绍了Si C材料的特点、制备及其在功率器件方面的应用。

• 单位
  西安电力电子技术研究所