多芯片并联压接式IGBT中温度不均对电流分布的影响

作者：邓真宇; 陈民铀; 赖伟^*; 李辉; 王晓; 李金元; 杜耀婷

来源：中国电力, 2020, 53(12): 10-17.

• 压接式IGBT
• 温度分布
• 电流分布
• 并联
• 均流

多芯片并联的压接式IGBT器件是柔性直流输电设备中的关键部件,因制造工艺、回路寄生参数和热耦合问题使得器件内部应力分布不均,造成器件不均匀老化,使得内部温度不均程度加剧,进而使得电流分配不均。围绕不同温度差异下导致的电流分布不均问题展开研究。首先,对造成IGBT器件并联不均流的原因以及温度对不均流特性的作用进行分析。然后,利用单芯片压接式IGBT器件并联模拟多芯片器件内部的温度分布不均情况,进行温度分布不均匀程度对电流分配影响的实验。最后,通过实验验证并联器件间温度差异与不均流程度的关系。所提方法为提高器件的运行可靠性和对压接式IGBT失效机理认知奠定基础。

• 单位
  全球能源互联网研究院; 重庆大学; 国网重庆市电力公司南岸供电分公司