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摘要
利用分子束外延技术在GaAs衬底上生长InAs量子点,采用梯度生长法实现了量子点的成岛参数和量子点密度精确可控。通过在GaAs衬底上生长InGaAs组分渐变缓冲层进而自组织外延InAs量子点的方法,将GaAs衬底的InAs量子点发光波长拓展到了1 550 nm通讯波段,并研究了渐变层中最大In组分、以及InAs淀积量等因素对于量子点发光性能的影响。结果显示,渐变层最上层In组分越大,与InAs量子点的失配越小生长尺寸越大,量子点的发光波长越长,光致荧光谱呈现整体红移的趋势。在渐变缓冲层上外延InAs的淀积量为1.65 ML时可以得到线宽较窄强度较高的单量子点发光峰。
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单位半导体超晶格国家重点实验室; 中国科学院半导体研究所; 曲阜师范大学
