甚高频用超低饱和磁化强度In∶BiCaVIG晶体生长及磁特性研究

作者：魏占涛; 游斌; 姜帆; 张平川^*; 蓝江河

来源：人工晶体学报, 2021, 50(01): 32-37.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2021.01.005

• In∶BiCaVIG
• 单晶铁氧体
• 超低饱和磁化强度
• 甚高频

利用加速坩埚转动技术制备了超低饱和磁化强度(Ms)石榴石型In∶BiCaVIG单晶铁氧体材料,系统研究了单晶样品的晶体结构、微观形貌及磁学性能。结果表明:In∶BiCaVIG单晶样品结晶良好,具有体心立方结构;样品的居里温度为104℃,饱和磁化强度为60 G,饱和磁化强度偏差达到±20 G,略优于美国Microphere公司同类型材料产品。经过抛光处理后的球形样品线宽明显减小,最小线宽为5.8 Oe,这是因为化学抛光处理可以均匀腐蚀加工应力层,导致线宽减小。另外,与未掺杂BiCaVIG单晶相比,超低饱和磁化强度样品的线宽明显要大,这主要跟样品的饱和磁化强度大小有关。

• 单位
  西南应用磁学研究所