正电子冲击下氦电离三重微分截面的理论计算(英文)

作者：周雅君; 刘芳; 程勇军; 王旸; 焦利光; 马佳; 王远程; 于荣梅; 张永志; 姜平辉; 柯友启; 胡小颖; 吴勇

来源：原子与分子物理学报, 2020, (06): 892-895.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2020.063001

• 三重微分截面
• 正电子冲击
• 氦原子单电子电离
• 电子偶数形成
• 畸变波波恩近似 Positron impact
• Triple differential cross section
• Single ionization of atomic helium
• Positronium formation
• Distorted-wave Born approximation

我们发展了一种处理正电子碰撞原子电离的畸变波Born近似方法,在这个方法中,正负电子偶素通道通过一个ab initio的光学势附加到入射粒子和靶的相互作用势上,且该通道对电离的影响被第一次被考虑在正电子碰撞原子电离的过程中.我们运用这个方法计算了在50 eV入射能量范围氦的电离的三重微分截面,计算结果和实验数据很好的符合.

• 单位
  电子工程学院; 黑龙江大学; 北京应用物理与计算数学研究所; 黑龙江工程学院; 陕西师范大学; 物理学院; 沈阳航空航天大学; 上海科技大学; 吉林大学; 哈尔滨工业大学; 哈尔滨理工大学; 沈阳师范大学; 长春大学