一种铜钒氧化物-FTO复合光电极及其制备方法和应用

作者：蒋翔; 曹灵峰; 汪福宪

来源：2022-01-26, 中国, ZL202210095975.1.

本发明公开了一种铜钒氧化物-FTO复合光电极及其制备方法和应用。本发明的铜钒氧化物-FTO复合光电极的组成包括依次设置的FTO基底、第一铜钒氧化物层和第二铜钒氧化物层,第一铜钒氧化物层中Cu、V的摩尔比为5:2,第二铜钒氧化物层中Cu、V的摩尔比为1:2。本发明的铜钒氧化物-FTO复合光电极的制备方法包括以下步骤：1)配制不同Cu、V摩尔比的前驱体溶液；2)将不同Cu、V摩尔比的前驱体溶液依次沉积到FTO基底上,并进行煅烧,即得铜钒氧化物-FTO复合光电极。本发明通过在FTO基底上设置不同平带电位的铜钒氧化物层,形成了Z型同质结,最终使得光电极的整体电荷分离效率得到显著提高。

• 单位
  广东省科学院; 华南理工大学; 中国广州分析测试中心