元素掺杂对二维Ga2O2电子性质的影响

作者：邵立; 谭雪卿; 李艳; 耶红刚

来源：吉林大学学报(理学版), 2022, 60(02): 445-449.

DOI：10.13413/j.cnki.jdxblxb.2021287

• 密度泛函理论
• 掺杂
• 能带结构
• 态密度

基于密度泛函理论的VASP(Vienna ab-initio simulation package)软件包计算5种金属和非金属掺杂对二维Ga2O2晶体结构和电子性质的影响.结果表明：掺杂B,C,Mg, Si, P元素可使晶体结构发生改变，并改变掺杂体系的电子性质；与本征Ga2O2晶体相比，这几种掺杂元素体系的带隙均减小，这是由于掺杂原子与近邻原子间电荷重新分布所致.

• 单位
  西安交通大学; 郑州航空工业管理学院; 材料学院