CMOS 6管静态存储单元晶体管尺寸的估算

作者：苏进; 王标; 张瑾; 刘声雷

来源：合肥工业大学学报(自然科学版), 2007, (09): 1215-1218.

• 静态存储器
• 特征尺寸
• 沟道宽度
• 存储阵列
• 延迟
• 萨方程 SRAM
• feature size
• channel width
• storage array
• delay
• Sah's equation

文章采用萨方程对CMOS工艺的6管静态存储单元结构进行分析计算,探讨了在工艺特征尺寸确定的情况下,晶体管沟道宽度为何值时存储阵列的数据输出延迟最小的估算方法;利用Matlab求解得到一个非线性方程;该方法适用于不同的存储阵列和特征尺寸,可以快速地估算出晶体管沟道宽度,为设计存储器单元版图时提供了方便。

• 单位
  华东光电集成器件研究所; 合肥工业大学