方形基片喷雾涂胶工艺的优化

作者：陈威; 王河; 党景涛

来源：半导体技术, 2021, 46(12): 969-973.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.12.010

• 方形基片
• 喷涂工艺
• 二流体喷头
• 胶膜厚度
• 膜厚均匀性

通过实验优化了方形基片喷雾涂胶工艺。以AZ6130光刻胶作为研究对象,实验过程中在改变胶液体积流量和氮气压力条件下,采用二流体喷头对方形基片进行喷涂,使用显微镜和粗糙度轮廓仪观察并测量其表面形貌。实验结果表明:在不改变其他实验条件下,氮气压力为0.03 MPa时,随着胶液体积流量从0.6 mL/min增加至2.2 mL/min,胶膜厚度从5.3μm增加至19.0μm,膜厚均匀性从3.5%增加至22.6%;胶液体积流量为1.0 mL/min时,随着氮气压力从0.01 MPa增加至0.09 MPa,胶膜厚度从6.5μm降低至4.7μm,膜厚均匀性从3.6%增加至15.6%。通过对实验基片的观察、测量与分析,得到方形基片制备过程中最优喷涂工艺为胶液体积流量1.0 mL/min,氮气压力0.03 MPa。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十五研究所