InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器的量子效率优化(英文)

作者：田招兵; 顾溢; 张永刚

来源：红外与毫米波学报, 2008, (02): 81-85.

• 短波红外
• 光伏型探测器
• InGaAs
• 量子效率 short-wave-infrared
• photovoltaic detectors
• quantum efficiency

建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子效率的影响.在此基础上提出了两种改进的背照射InGaAs/InP探测器结构,并讨论了其结构参数的优化.

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院研究生院