2～18 GHz 300 W GaN固态功率放大器

作者：王仁军; 成海峰; 徐建华; 喻先卫; 祝庆霖; 周晨

来源：固体电子学研究与进展, 2023, 43(01): 95.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2023.01.016

<正>南京电子器件研究所首次成功研制了2～18 GHz超宽带大功率固态功率放大器(Solid-state power amplifier,SSPA)。该固态功率放大器以本所研制的0.2μm GaN HEMT超宽带功率MMIC为基础,在2～18 GHz频段内单芯片的输出功率≥16 W,通过采用新型全空气超宽带高效合成结构,实现了30路高效功率合成。该合成结构相比现有合成技术,具有合成效率更高、散热布局更好的优点。实现的超宽带固态功率放大器饱和输出功率在2～18 GHz频段内大于300 W。