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摘要
介绍了采用湿法刻蚀的方法来制备多晶硅纳米线,通过扫描电镜、反射率测试和XRD晶形分析等手段来对制备样品的形貌和光学性质进行表征。通过实验研究HF浓度、AgNO3浓度、H2O2浓度、反应时间对硅纳米线表面形貌和漫反射率的影响,从而得到刻蚀的最佳条件,制备出低反射率而又均匀的多晶硅纳米线材料。
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介绍了采用湿法刻蚀的方法来制备多晶硅纳米线,通过扫描电镜、反射率测试和XRD晶形分析等手段来对制备样品的形貌和光学性质进行表征。通过实验研究HF浓度、AgNO3浓度、H2O2浓度、反应时间对硅纳米线表面形貌和漫反射率的影响,从而得到刻蚀的最佳条件,制备出低反射率而又均匀的多晶硅纳米线材料。
