基于铁电薄膜HfO2的双阈值负电容独立栅FinFET器件

作者：徐萧萧; 胡建平^*

来源：湘潭大学学报(自然科学版), 2019, 41(05): 136-140.

DOI：10.13715/j.cnki.nsjxu.2019.05.015

• 双阈值独立栅FinFET
• 负电容FinFET
• 低功耗
• 铁电薄膜HfO2

将一定厚度的铁电材料HfO2应用到独立栅基准器件FinFET的前栅和后栅表面,构成具有对称栅结构的负电容独立栅FinFET器件.通过调整新器件的栅功函数、结构参数和铁电材料参数,构建高阈值和低阈值负电容独立栅FinFET器件.提出的双阈值负电容独立栅FinFET器件具有较小的亚阈值摆幅和较大的开关电流比,在降低功耗方面具有显著的优势.

• 单位
  宁波大学