科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明涉及一种基于场板的GaN基肖特基势垒二极管,包括衬底、依次层叠于所述衬底上的缓冲层和沟道层；设置在所述沟道层上的复合势垒层；设置在所述复合势垒层上的阴极、复合阳极和P型AlGaN帽层,所述P型AlGaN帽层位于所述阴极和所述复合阳极之间；设置在所述P型AlGaN帽层上的基极,所述基极的长度小于等于所述P型AlGaN帽层的长度；覆盖在所述复合势垒层、所述P型AlGaN帽层、所述复合阳极、所述阴极和所述基极上的钝化层。本发明实施例基于场板的GaN基肖特基势垒二极管在提高器件击穿电压的同时减小了器件的开启电压,使得二者同时具有较高的性能指标,改善了器件的击穿特性和可靠性。
- 单位
