一种基于忆阻器的2T2M存储阵列的设计研究

作者：蔡振扬; 刘苡萌; 徐红梅^*

来源：延边大学学报(自然科学版), 2023, 49(03): 257-261.

DOI：10.16379/j.cnki.issn.1004-4353.2023.03.005

• 忆阻器
• 存储阵列
• 2T2M
• 读写操作
• 存储单元
• 存储密度

为了提高非易失性存储器的存储密度和存储效率，提出了一种基于忆阻器的2T2M存储阵列.该阵列采用10×10的交叉结构.Simulink仿真实验证明，该存储阵列不仅可以有效增加存储单元的存储密度和提高存储效率，而且电路结构简单；因此，该存储阵列可为高存储密度电路和图像存储的设计提供参考.

• 单位
  延边大学