Nd掺杂对磁控溅射Bi_(4-x)Nd_xTi_3O_(12)铁电薄膜结构和性能的影响

作者：陈彬; 燕红

来源：人工晶体学报, 2013, (06): 1203-1207.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2013.06.039

• 铁电薄膜
• Bi4-xNdxTi3O12
• 介电性能
• 铁电性能 ferroelectric films
• Bi4-xNdxTi3O12
• dielectric properties
• ferroelectric properties

采用磁控溅射工艺在p-Si衬底上制备了Bi4-xNdxTi3O12铁电薄膜,研究了Nd掺杂对Bi4-xNdxTi3O12薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,Nd掺杂并未改变薄膜的晶格对称性,仍然保持Bi层状钙钛矿结构,但能在一定程度上抑制晶粒的生长,使薄膜的晶粒更加细小、均匀,同时能明显改善薄膜的介电、铁电性能。Nd掺杂量x=0.30～0.40时,Bi4-xNdxTi3O12薄膜的综合性能较好,其介电常数εr>250,介电损耗tanδ<0.1,剩余极化Pr=20.6μC/cm2,Ec<150 kV/cm。Ag/Bi4-xNdxTi3O12/p-Si异质结顺时针回滞的C-V曲线表明该异...

• 单位
  郑州铁路职业技术学院